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Updated: Aug 11, 2026

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Laser-induced Forward Transfer for Flip-chip Packaging of Single Dies
Published on: March 20, 2015
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概括
我们开发了一种紧的光合器,用于将III-V激光器和光探测器 (PD) 与光子学集成. 这种策略可以实现可扩展光子学的低合损失 (<0.5 dB).
科学领域:
- 光子学是指光子学的使用方法.
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 电气工程 电气工程
背景情况:
- 可扩展的光子学依赖于不同材料之间的高效光合.
- 集成复合半导体设备 (III-V) 与在绝缘体 (SOI) 平台对于先进的光子集成电路至关重要.
研究的目的:
- 为横向III-V膜激光器和光探测器 (PD) 提供一种新的,紧的光合策略,这些激光器和光探测器直接生长在SOI平台上.
- 为了实现高效率和小足迹的光合,实现密集集成.
主要方法:
- 设计新型的尾合器,使用表轴III-V膜和Si装置层的共平面配置.
- 实施次波长格子结构,以逐渐匹配III-V膜和Si波导之间的有效折射率.
主要成果:
- 在整个电信频段实现了不到0.5dB的合损失.
- 证明了在小于10微米的设备长度内的合策略.
- 在III-V设备和波导之间实现了高效的光传输.
结论:
- 开发的头合器为光子学中紧和高效的光合提供了一个有前途的解决方案.
- 这一战略为密集集成的光子电路的未来提供了新的视角.
- 通过使III-V光电子设备的无集成,促进可扩展光子学的进步.

