通过热硫化进行CVD石墨烯的缺陷治愈和化
Giuseppe Valerio Bianco1, Alberto Sacchetti1, Antonella Milella1,2
1Institute of Nanotechnology, CNR-NANOTEC, Dipartimento di Chimica, Università di Bari via Orabona, 4 Bari 70126 Italy giuseppevalerio.bianco@cnr.it +39-0805442082.
Nanoscale advances
|May 16, 2024
概括
硫剂通过修复缺陷来改善化学蒸汽沉积 (CVD) 石墨烯的电导率. 这一过程提高了载体的移动性,并降低了单层石墨烯材料中的板电阻.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 凝聚物质物理学 凝聚物质物理学
- 纳米技术 纳米技术
背景情况:
- 多晶化学蒸汽沉积 (CVD) 石墨烯含有原子尺度的缺陷和粒度边界.
- 这些结构上的缺陷起到了分散中心的作用,减少了载体的移动性并增加了电阻.
- 化学功能化是一种已知的方法,通过增加载体度来增强石墨烯导电性.
研究的目的:
- 研究硫注射对单层CVD石墨烯的电传特性所产生的缺陷治愈作用.
- 评估硫化对载体移动性和材料导电性的影响.
主要方法:
- 在Corning玻璃和Si/SiO2基板上的单层CVD石墨烯的生长后热硫化,温度为250°C.
- X射线光电子光谱 (XPS) 和拉曼光谱用于材料特性.
- 测量大厅,以评估电传输特性,包括孔移动性和板材阻力.
主要成果:
- 硫原子共地附着在石墨烯网格上,而不会引入新的C-sp3缺陷.
- 观察到洞的移动性有显著的改善,霍尔的移动性值高达2500厘米V-1s-1.
- 板电阻大幅降低,硫化石墨烯的测量值低至每平方400欧姆.
结论:
- 热硫化是一种有效的后处理方法,可以提高CVD石墨烯的电导率.
- 硫兴奋剂可以治愈结构缺陷,从而提高载体的移动性和降低抵抗力.
- 这种方法为优化基于石墨烯的电子设备提供了一个有前途的途径.
