P-N junction
Schottky Barrier Diode
Voltaic/Galvanic Cells
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Yun Xiao1, Xiaoyu Yang2, Rui Zhu2,3,4
1Clarendon Laboratory, Department of Physics, University of Oxford, Oxford, UK.
消除矿太阳能电池的接口缺陷使它们达到最大的理论效率. 这一突破对于推进新一代光伏技术至关重要.
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