在g-B5N3的可逆能量存储介质的计算研究,由装饰

Xihao Chen1, Liang Zhang2, Huaijie Jia3

  • 1School of Materials Science and Engineering, Chongqing University of Arts and Sciences, Chongqing 402160, China.

概括

研究人员开发了一种添加剂的新型g-B5N3材料,用于增强储存. 这种复合物超过了美国能源部的总量.