Ab Initio,使

Kousuke Nakano1,2, Sandro Sorella2, Dario Alfè3,4,5

  • 1Center for Basic Research on Materials, National Institute for Materials Science (NIMS), Tsukuba, Ibaraki 305-0047, Japan.

概括

本研究介绍了电子结构问题中扩散蒙特卡罗 (DMC) 计算的改进方法. 这种新方法提高了节点表面的精度,使得像C60 fullerene这样的大型系统的可靠计算成为可能.