在n型晶片中制造有序的巨孔阵列,采用双电化学电池的阳极蚀刻方法
Jing Zhang1,2, Faqiang Zhang1, Mingsheng Ma1,2
1CAS Key Laboratory of Inorganic Functional Materials and Devices, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201899, China.
Micromachines
|May 25, 2024
概括
在中制造有序的巨孔阵列需要特定的条件. 更薄的晶片 (200微米) 和更高的电压 (4.5V) 对于使用阳极蚀刻实现高质量,有序的巨孔阵列至关重要.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术纳米技术
- 电化学 电化学 电化学
背景情况:
- 顺序的宏孔数组对于各种应用非常重要.
- 阳极蚀刻是制造这些结构的常见方法.
- 了解制造参数的影响是优化阵列质量的关键.
研究的目的:
- 为了研究在n型中制造有序的巨孔阵列.
- 为了确定晶圆厚度,蚀刻时间和电压对宏孔阵列质量的影响.
- 为了建立制造高面积比率宏孔阵列的最佳条件.
主要方法:
- 在双电化学电池中使用阳极蚀刻制造巨孔阵列.
- 晶片厚度的系统变化 (200,300,400微米).
- 研究蚀刻时间和电压对阵列形态和排序的影响.
- 基于孔运输模型的少数载体度和电流的建模.
主要成果:
- 在200微米厚的晶片中成功制造出均的巨孔阵列.
- 获得了以4.5V的高度排序的宏孔阵列,面积比为19的高度排序的宏孔阵列.
- 晶圆厚度显著影响蚀刻当前和少数载波运输.
- 较厚的晶圆 (300,400μm) 不能产生同质的阵列.
结论:
- 优化晶圆厚度和蚀刻电压对于稳定的宏孔阵列制造至关重要.
- 降低晶圆厚度和增加电压在有限的照明条件下提高了宏孔阵列质量.
- 该研究提供了关于晶圆特性,蚀刻参数和宏孔形成之间的关系的见解.
