HiPIMS脉冲宽度对铜膜结构和性能的影响
Xincheng Liu1, Heda Bai1, Yongjie Ren1
1School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology (Shenzhen), Shenzhen 518055, China.
Materials (Basel, Switzerland)
|May 25, 2024
概括
在高功率脉冲磁铁喷射 (HiPIMS) 中,较长的脉冲宽度通过增加离子数量和促进分支微观结构来提高铜膜质量. 这导致了较强的结合强度,较低的电阻率和更大的粒度,用于先进的材料应用.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 等离子体物理学的物理学
- 薄膜沉积的情况
背景情况:
- 高功率脉冲磁铁子喷射 (HiPIMS) 与直流喷射相比,具有优势,包括更高的峰值功率密度和电离率.
- 了解脉冲宽度的影响对于优化HiPIMS过程至关重要.
- 铜 (Cu) 薄膜在微电子和其他应用中至关重要,需要高质量的性能.
研究的目的:
- 研究HiPIMS中不同脉冲宽度对喷射等离子体特征的影响.
- 分析由此产生的微观结构和沉积的Cu薄膜的特性.
- 使用HiPIMS. 确定最佳脉冲宽度,以制备高质量的Cu薄膜.
主要方法:
- 利用了高功率脉冲磁铁子喷射 (HiPIMS),可以控制脉冲宽度的变化.
- 在喷射过程中监测电流波形和等离子体发射光谱.
- 描述了沉积的Cu薄膜的结构和电气性能,包括粘合强度,电阻,粒径和表面粗度.
主要成果:
- 延长的脉冲宽度将喷射转移到自喷射 (SS) 阶段,增加了喷射离子数量.
- 用较长脉冲宽度沉积的Cu薄膜表现出增强的结合强度和降低的电阻.
- 微结构分析揭示了较大的粒度和较低的表面粗度,脉冲宽度较长,过渡到200微秒以上的分支结构.
结论:
- 在HiPIMS中,较长的脉冲宽度显著提高了与较短的脉冲相比,沉积的Cu薄膜的质量.
- 在较长的脉冲宽度下,向分支微结构的过渡有效地降低了界面电阻,进一步降低了电阻.
- 具有优化长脉冲宽度的HiPIMS技术为生产高性能Cu薄膜提供了一种可行的方法.
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