使,使

Fangfang Huo1, Ruslan Muydinov1, Bertwin Bilgrim Otto Seibertz1

  • 1Institute für High-Frequency and Semiconductor-System Technologies, Technische Universität Berlin, Einsteinufer 25, 10587, Berlin, Germany.

Heliyon
|May 27, 2024
PubMed
概括

添加氧化锡 (TTO) 薄膜通过气流喷射 (GFS) 实现了超低电阻. 基质温度显著影响TTO薄膜特性,在270°C时观察到最佳的兴奋剂效应.

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