使用低压驱动的溶液方法制备的La-doped In₂O₃薄膜晶体管的电性能

科学领域:

• 材料科学 材料科学 材料科学
• 半导体物理 半导体物理
• 设备工程 设备工程

背景情况:

• 氧化 (In2O3) 是薄膜晶体管 (TFT) 的一个有前途的材料.
• 缺陷,特别是氧气空缺,显著影响In2O3 TFTs的性能.
• 控制这些缺陷对于开发高性能电子设备至关重要.

研究的目的:

• 研究兰 (La) 兴奋剂对In2O3薄膜及其相应TFT的影响.
• 了解拉如何影响结构,形态,光学和电气性能.
• 为了优化 La 兴奋剂度以提高 TFT 性能.

主要方法:

• 基于溶液制备的Lad-doped In2O3薄膜. 在溶液的基础上制备.
• 系统地研究结构,形态,光学和电气特性.
• 拉多化In2O3 TFT的制造和表征.

主要成果:

• 拉的兴奋剂降低了氧缺陷度从27.54%降至17.93%在10mol%的拉.
• 它充当了载体抑制剂,使缺陷被动化并降低了陷密度.
• 经过优化后的TFT显示出低次值波动 (0.84V dec−1),高流动性 (14.22 cm2 V−1 s−1),以及高电流切换比率 (105).

结论:

• 兴奋剂是一种有效的策略,可以使缺陷无效,并提高In2O3 TFTs的性能.
• 调节度可以显著改善TFT特征.
• 这些增强的TFT适用于高性能,大规模和低功耗的电子应用.