实现超快的响应速度为自动供电的光探测器与分子杂的侧向InSe同位结
Xiaofeng Fan1, Sixian He1, Pu Feng2
1State Key Laboratory of Metal Matrix Composites, School of Materials Science and Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai 200240, China.
The journal of physical chemistry letters
|May 29, 2024
概括
研究人员开发了一种高性能,自动供电的光探测器,使用局部分子杂的InSe同位结. 这一进步为下一代光电子设备提供了更低的功耗和更好的性能.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 光电学是指光电子产品.
- 半导体物理 半导体物理
背景情况:
- 节能政策推动对高效的自动供电光电子设备的需求.
- 由于有效的载体生成和分离,二维 (2D) p-n 均质连接是高性能光探测器的关键.
- 内在 InSe 光探测器在性能和响应时间方面存在局限性.
研究的目的:
- 为了制造一个高性能,自动供电的光电探测器.
- 为了研究局部分子杂的侧面InSe同位结的特性.
- 探索这种设备在低消耗应用中的潜力.
主要方法:
- 使用F4-TCNQ局部分子合的横向InSe同联接器制造一个自动供电的光电探测器.
- 描述光探测器的性能,包括开关光比和时间响应.
- 分析p-n同位结形成所产生的内置电场.
主要成果:
- 与内在InSe.相比,p-n同位连接装置在开关光比 (I_light/I_dark) 中表现出2.2 × 10^4的增强.
- 时间反应显著改善到24/30微秒.
- 达到了93.21mA/W的高响应率 (R) 和1.14×10^11斯的特异检测能力 (D*).
结论:
- 一个有前途的方法来创建横向的InSe p-n同接点被证明.
- 开发的光电探测器显示了下一代低消耗光电子应用的潜力.
- 局部化分子兴奋剂是一种有效的策略,用于提高二维同联光检测器性能.
