简单合成纳米结构的Ni/NiO/N-doped石墨烯电催化剂,用于增强氧气演化反应
Roshni Madampadi1, Avit Bhogilal Patel2, C P Vinod3,4
1Department of Chemistry, Indian Institute of Technology Palakkad Kerala 678 623 India d.jagadeesan@iitpkd.ac.in.
Nanoscale advances
|May 31, 2024
概括
联辅助化学蒸汽沉积合成了新的电催化剂. 一种Ni/NiO/N合的石墨烯复合物表现出与氧化演化反应的贵金属催化剂相当的性能.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 电化学 电化学 电化学
- 纳米技术纳米技术
背景情况:
- 开发高效的电催化剂对于能源转换和储存技术至关重要.
- 基于的材料和添加的石墨烯对电催化应用具有前景.
- 控制电催化剂的接口结构可以显著提高它们的性能.
研究的目的:
- 为了合成和表征具有受控Ni/NiO/N-doped石墨烯接口的新型电催化剂.
- 研究不同含配体对电催化剂微观结构和性能的影响.
- 为了评估合成的电催化剂的氧化演化反应 (OER) 活性.
主要方法:
- 用联体辅助化学蒸汽沉积 (CVD) 技术用于催化剂合成.
- 使用了两种含的配体,即二拉[2,3-f:2',3'-h]素-2,3,6,7,10,11-六碳 (L) 和胺 (M).
- 使用XRD,拉曼光谱,SEM,TEM和XPS进行了结构和组成的表征.
主要成果:
- 使用联体L合成的复合物表现出一个NiO-sandwiched Ni/N-doped 石墨烯结构,在10 mA cm−2时达到292 mV的OER超电位,Tafel斜率为45.41 mV dec−1.
- 这种性能可与现有的贵金属催化剂相美.
- 使用连接物M合成的复合物显示Ni被N-化石墨烯封装,OER超电位在10 mA cm−2时为390 mV,Tafel斜率为78.9 mV dec−1.
结论:
- 联体辅助的CVD路径提供了一种简单的方法来控制Ni/NiO/N-doped石墨烯电催化剂的微结构.
- 特定的接口结构,特别是NiO层,在提高OER性能方面发挥着关键作用.
- 这种方法为设计用于能源应用的高性能,成本效益高的电催化剂提供了途径.
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