对于像素化量子点发光二极管的孔运输和发射层的非破坏性直接图案
Yuan-Qiu-Qiang Yi1,2, Fuyan Su1, Wenya Xu1
1Printable Electronics Research Center, Division of Nano-Devices Research, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou, Jiangsu 215123, China.
ACS nano
|June 4, 2024
概括
新的交叉连接器允许量子点LED (QLED) 的直接模式. 这种方法提供了高分辨率和耐溶剂性,为具有成本效益的高性能QLED显示器铺平了道路.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 有机电子 有机电子
- 显示技术 显示技术
背景情况:
- 高分辨率量子点LED (QLED) 需要先进的图案设计技术.
- 对于QLEDs来说,传统的光电法是多步骤的,可能会降低性能.
- 非破坏性直接模式为精细像素的QLED提供了一个简化的方法.
研究的目的:
- 为QLEDs开发一种非破坏性的直接模式方法.
- 为 QLED 层引入新的异构三酸盐交叉连接器 (X8/X9).
- 为了展示使用这些交叉连接器的像素化QLED设备的制造.
主要方法:
- 将同位体三角质交叉连接器 (X8/X9) 纳入孔输送层 (HTL) 和排放层 (EML).
- 利用紫外线辐射进行现场交叉连接,增强溶剂电阻.
- 使用X9应用光刻图案,在HTL和EML片中创建细线图案.
主要成果:
- 在红色的QLED中,通过交联的HTL实现了22.45%的高外部量子效率.
- 使用X9光刻法证明了2微米 (HTL) 和4微米 (EML) 的细线图案.
- 成功制造了3 × 3mm2像素化的QLED设备和双色像素化的QLED设备.
结论:
- 工程交叉连接器允许高效,非破坏性的QLED层的直接模式.
- 开发的方法显著提高了溶剂耐受性,并允许精细的像素化.
- 这种方法显示出高成本高效制造先进的QLED显示器的巨大潜力.
