高流动性InSnZnO薄膜晶体管通过引入水蒸气喷气体
Ting Li1,2, Xiaohan Liu1,2, Junyan Ren2,3
1Faculty of Electrical Engineering and Computer Science, Ningbo University, Ningbo 315211, China.
ACS applied materials & interfaces
|June 6, 2024
概括
在In-Sn-Zn-O (ITZO) 薄膜生长过程中引入水,矛盾的是,通过减少退火后的缺陷,提高了薄膜晶体管 (TFT) 的微观结构和电性能.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 薄膜电子产品 薄膜电子产品
- 半导体物理 半导体物理
背景情况:
- 水在氧化物薄膜沉积中的作用受到辩论,影响薄膜特性和设备性能.
- -锡--氧化物 (ITZO) 是用于薄膜晶体管 (TFT) 的一个有前途的透明导电氧化物.
研究的目的:
- 研究水蒸气 (H2O) 对ITZO薄膜及其相应TFT的性能的影响.
- 阐明水影响膜微观结构和电气特性的机制.
主要方法:
- 具有和没有水蒸气的ITZO薄膜的比较喷沉积,保持恒定的氧气流量.
- 片的沉积后化. 这些片的沉积后化.
- 制造的ITZO薄膜晶体管 (TFT) 的电气特性.
主要成果:
- 随着与水沉积的薄膜含有与有关的缺陷,但化导致了微观结构的排序.
- 化减少了与有关的缺陷和空缺缺陷 (Vo),增加了薄膜包装密度,并改善了含水薄膜中的MO网络顺序.
- 用5scm水制造的ITZO TFT表现出优越的电气性能,包括高流动性 (122.10cm2/V·s),低值电压 (-2.30V),的下值摆动 (0.18V/dec),高当前电流 (1420μA) 和良好的偏移稳定性.
结论:
- 水蒸气,尽管最初诱导缺陷,矛盾地增强了ITZO膜的化后微观结构和电性能.
- 在喷过程中优化吸收水是开发高性能ITZO TFT的可行策略.
