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Renji Bian1,2, Ri He3, Er Pan1
1School of Optoelectronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 611731, China.
研究人员使用双层3R二硫化物 (3R-MoS2) 开发了一种无疲劳的铁电记忆. 这一突破克服了材料的局限性,为高耐用性非易失性存储器铺平了道路.
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