开发一种具有宽带间隙半导体性能的新型自愈Zn(II) 金属凝,用于非易失性记忆器件应用

Arpita Roy1, Subhendu Dhibar2, Kripasindhu Karmakar3

  • 1Department of Physics, Indian Institute of Technology Patna, Patna, Bihar, 801103, India.

Scientific reports
|June 7, 2024
PubMed
概括

一种新的 (II) 金属 (Zn@PEH) 已被开发用于自愈,可注射的应用. 这种材料在电阻随机存储器 (RRAM) 设备和逻辑电路中表现出有希望的性能.