在各种半导体上使用代码定位蚀刻技术进行无 lithography 的纳米制造
Quan Shi1,2, Shin Kajita2, Noriyasu Ohno3
1National Institute for Fusion Science, Toki 509-5292, Japan.
Langmuir : the ACS journal of surfaces and colloids
|June 10, 2024
概括
代码定位蚀刻使用杂质和等离子体在半导体上创建纳米/微结构. 这种无光刻法纳米制造方法表明结构形成取决于基板喷涂产量和杂质沉积.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术纳米技术
- 表面科学是一门学科.
背景情况:
- 半导体纳米制造通常依赖于复杂的光刻技术.
- 开发无光刻法方法对于高效的微型和纳米制造至关重要.
- 基于等离子体的工艺为材料修饰和结构形成提供了独特的途径.
研究的目的:
- 为了研究新的codeposition蚀刻方法用于无光刻的纳米制造.
- 在各种半导体上探索使用等离子体和杂质形成纳米/微结构的过程.
- 了解影响结构形成和核化机制的关键参数.
主要方法:
- 采用用等离子体和 (Mo) 杂质的编码位蚀刻技术.
- 在杂质存在的情况下,用贵重气体等离子体对各种半导体基材进行辐射.
- 分析结构形成对基板喷涂产量的依赖,杂质沉积率和基板材料的依赖.
主要成果:
- 在半导体基板上成功形成了纳米/微结构,其喷射产量低于种子杂质 (Mo).
- 形成结构的密度,面积和高度都取决于杂质沉积率和基板材料.
- 基于对结构形成的时间依赖观测,提出了两种不同的杂质核化机制.
结论:
- 代码位置蚀刻是半导体纳米制造的一种可行的无光刻法方法.
- 与杂质种子相对的基质喷涂产量是结构形成的关键因素.
- 杂质沉积率和基板材料显著影响得到的纳米结构的特性.


