通过多焦激光隐形切割来提高基于AlGaN的DUV-LED的性能

科学领域:

• 材料科学 材料科学 材料科学
• 光电学是指光电子产品.
• 半导体设备制造业 半导体设备制造业

背景情况:

• 基于AlGaN的深紫外线发光二极管 (DUV-LED) 对各种应用至关重要.
• 标准激光切割 (SLD) 可以引入影响设备性能的表面缺陷.
• 需要先进的切割技术来优化DUV-LED制造.

研究的目的:

• 与标准激光切割 (SLD) 相比,研究多焦激光隐形切割 (MFLSD) 对AlGaN DUV-LED的影响.
• 分析MFLSD如何影响设备性能指标,如效率,功率和操作电压.
• 评估MFLSD对光学特征的影响,包括波长转移和光提取效率.

主要方法:

• 使用 SLD 和 MFLSD 制造 508 × 508 μm2 的 AlGaN DUV-LED.
• 设备性能的表征:前置工作电压,墙插电效率和光输出功率.
• 分析光学特性:波长转移,远场辐射模式和光追踪模拟.

主要成果:

• 与SLD.不同的是,MFLSD产生了粗的侧墙表面,而不是V形沟,不像SLD.
• 使用MFLSD处理的DUV-LED显示出前置工作电压降低.
• 由于光子逃逸的增强,MFLSD显著提高了墙体插头效率,光输出功率和光提取效率 (LEE).
• MFLSD导致波长红移和结点温度的降低.

结论:

• 与SLD相比,MFLSD是对AlGaN DUV-LED的优越切割技术.
• 由MFLSD创建的粗表面增强了光子逃逸,从而改善了LEE和设备性能.
• MFLSD为半导体设备制造中的先进纳米处理提供了一个有前途的方法,可以减少运行损失并提高效率.