III-化物m-平面紫色窄边缘发射激光二极管与侧墙被动化使用原子层沉积沉积

科学领域:

• 光电学是指光电子产品.
• 材料科学 材料科学 材料科学
• 半导体激光器半导体激光器

背景情况:

• III-化紫色激光器对于各种应用至关重要.
• 提高光学特性和设备寿命对于高功率激光器操作至关重要.
• 脊梁激光器的侧墙缺陷可以增加光学损失并降低效率.

研究的目的:

• 提出和研究一种新的深激光结构,具有原子层沉积 (ALD) 侧壁被动化.
• 为了提高8微米宽III-化物紫色激光器的光学特性和性能.
• 评估ALD侧墙被动化对内部损耗,光电性能和设备寿命的影响.

主要方法:

• 制造了一种新型的深激光结构,采用ALD侧墙被动化.
• 使用可变条纹长度方法来确定内部光学损失.
• 在高电流密度下,光电性能和连续波 (CW) 寿命的表征.

主要成果:

• 与传统的浅设计相比,具有ALD侧墙被动化的深激光结构表现出较低的内部损耗.
• ALD侧墙被动化极大地提高了设备的性能.
• 带有ALD被动化的激光器在CW运行期间显示出增强的光电性能和显著更长的寿命.

结论:

• ALD侧墙被动化是提高III-化紫色激光器性能的一个关键因素.
• 开发的深激光结构与ALD被动化可实现高能效和延长运行寿命.
• 这项工作强调了表面被动化技术对于先进的半导体激光器开发的重要性.