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Updated: May 6, 2026

Atom Probe Tomography Studies on the CuIn,GaSe2 Grain Boundaries
Published on: April 22, 2013
太阳能电池中的调制:对界面,表面和粒度边界进行全面分析
Yung-Hsuan Chen1, Rui-Tung Kuo1, Wei-Chih Lin1
1Department of Materials Science and Engineering, National Tsing Hua University, 101, Sec. 2, Kuang-Fu Road, Hsinchu 300044, Taiwan.
合并和硫化将铜烯酸太阳能电池的性能提高到18.11%. 这种改进是由于更宽的表面带隙,被动化的粒边界,以及更好的注射阻断层,提高了设备质量.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 太阳能光伏发电是如何实现的
- 薄膜太阳能电池 薄膜太阳能电池
背景情况:
- 铜印化 (CIGSSe) 太阳能电池对可再生能源充满希望.
- (Cs) 的纳入和硫化对于提高CIGSSe设备性能至关重要.
- 了解Cs调制对CIGSSe吸收器的影响是进一步开发的关键.
研究的目的:
- 为了研究 (Cs) 加入对含硫的Cu,In,Ga,S,Se2 (CIGSSe) 吸收器的影响.
- 分析产生的设备性能和材料性能变化.
- 提供对Cs处理的CIGSSe太阳能电池的接口工程和谷物边界 (GB) 消极化策略的见解.
主要方法:
- CIGSSe太阳能电池的制造,具有不同的Cs结合.
- 太阳能电池的性能特征.
- 使用紫外线光电子光谱 (UPS) 和低能逆光发射光谱 (LEIPS) 的表面带隙分析.
- 分析谷物边界组成和界面特性.
主要成果:
- 实现了超过2%的性能提升,达到18.11%的功率转换效率.
- 观察到Cs结合后,表面带隙从1.44 eV扩大到2.63 eV.
- 在谷物边界中确定了Cs的存在和硫耗尽,这表明了减少载体重组的新阶段.
- 需要注意的是,过度的 Cs 整合可能会导致接口问题,包括增强的注入阻断层和接口缺陷.
结论:
- 合并和硫化是改善CIGSSe太阳能电池质量的有效策略.
- 性能提升归因于更宽的表面带隙,谷物边界被动化和适度的注射阻断层.
- 需要进一步的研究来优化Cs的整合,并减轻高级CIGSSe光伏的相关接口挑战.
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