低毒性和高发光的- Perowskites 可通过减应变减轻发光二极管
Yanjun Zhou1, Chen Zou2, Dingkun Peng3
1Institute of Advanced Magnetic Materials, College of Materials & Environmental Engineering, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou 310018, China.
The journal of physical chemistry letters
|June 12, 2024
概括
应变工程增强了鉛矿发光二极管 (PeLED),提高了效率和稳定性. 这项研究优化了30和60mol%Ge的Ge-Pb PeLED,克服了以前的性能限制.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 光电学是指光电子产品.
- 矿石半导体 半导体 半导体
背景情况:
- - (Ge-Pb) 矿对光电子设备具有较低的毒性.
- 之前的Ge-Pb矿发光二极管 (PeLED) 具有超过30mol%Ge的低排放效率.
- 矿中的高Ge含量对高效的光发射提出了挑战.
研究的目的:
- 为了提高Ge-Pb矿膜和PeLED的光发射效率和稳定性.
- 为了研究应变工程和A站调制对Ge-Pb PeLED性能的影响.
- 分析高分数的Ge-Pb PeLED中的效率损失机制.
主要方法:
- 在Ge-Pb矿膜中通过A位点调制应用应变工程.
- 制造和特征的Ge-Pb PeLEDs与30mol%和60mol%的Ge含量.
- 时间解析的短暂吸收光谱分析重组动态.
- 电流密度-电压 (J-V) 曲线分析以确定效率损失机制.
主要成果:
- 在Ge-Pb PeLED中达到8.5%和3.0%的最大外部量子效率,分别为30mol%和60mol%Ge.
- 结合30mol%Ge与混合的A位子,有效抑制了陷辅助的重组.
- 在高 Ge 分数的 Ge-Pb PeLED 中确定了效率损失机制,建议进一步改进的途径.
结论:
- 通过A-site调制进行应变工程是一种可行的策略,可以提高Ge-Pb PeLED的性能.
- 优化的Ge-Pb矿显示出更好的效率和稳定性,解决了以前的局限性.
- 通过解决已识别的效率损失因素,可以进一步改进Ge-Pb PeLED.
