分析和控制RRAM超标电流的分析和控制
Pragya R Shrestha1, David M Nminibapiel2, Jason P Campbell3
1Theiss Research, La Jolla, CA USA and the Engineering Physics Division of the NIST, Gaithersburg, MD 20899 USA.
在RRAM形成时,电流超标是不可避免的,但它的峰值与寄生电容无关. 然而,超越持续时间对于控制RRAM形成至关重要,特别是在超短脉冲的情况下.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 电气工程 电气工程
- 半导体设备物理 半导体设备物理
背景情况:
- 电阻随机访问存储器 (RRAM) 呈现出显著的变化,通常在形成过程中由当前的合规元素来解决.
- 在RRAM形成过程中,无论合规 (1R-1R,1T-1R) 是否,电流超标是一个已知的现象.
- 峰值超越电流通常与灯丝特性和寄生电容有关.
研究的目的:
- 为了研究在RRAM形成过程中寄生电容和电流超标之间的关系.
- 澄清超越电流特征在超短脉冲形成成功中的作用.
- 挑战对峰值超标电流作为预测指标的传统理解.
主要方法:
- 对1R-1R和1T-1R结构的详细电路分析.
- 在RRAM测试结构上进行实验测量.
- 超短脉冲形成与传统方法的比较.
主要成果:
- 峰值超越电流独立于寄生电容.
- 电流超标的持续时间强烈依赖于寄生电容.
- 超短脉冲形成实现了控制,因为超速持续时间小于脉冲持续时间.
结论:
- 寄生电容不会影响RRAM形成中的峰值超越电流.
- 超越持续时间是控制RRAM形成的关键参数,特别是在超短脉冲的情况下.
- 超短脉冲形成的成功是通过控制超越持续时间来解释的.
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