关于不同隔离技术对蓝色微型LED阵列应用的性能进行研究
Shao-Hua Lin1, Yu-Yun Lo2, Yu-Hsuan Hsu2
1Institute of Electrics, National Yang Ming Chiao Tung University, Hsinchu, 30010, Taiwan, ROC.
Discover nano
|June 13, 2024
概括
这项研究优化了使用植入用于电气隔离的蓝色微型发光二极管 (LED). 更深的植入增强了光输出功率和外部量子效率,但效率下降略有增加.
科学领域:
- 固态物理 固态物理
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 光电学是指光电子产品.
背景情况:
- 微型发光二极管 (LED) 对于先进的显示和照明技术至关重要.
- 高效的电气隔离对于高性能微型LED阵列至关重要.
- 对于小规模的设备制造来说,传统的梅萨蚀刻可能是有问题的.
研究的目的:
- 研究多能离子植入的效果,作为蓝色微型LED电气隔离的替代品.
- 分析不同离子植入深度和配置对微型LED电气和光学性能的影响.
- 为了优化制造过程,提高光输出功率和外部量子效率.
主要方法:
- 使用金属有机化学蒸气沉积 (MOCVD) 在蓝宝石基板上制造3×3蓝色微LED阵列 (10×10 μm2像素大小,15 μm距离).
- 利用光刻法,蚀刻,E射线蒸发和多能离子植入用于设备制造和隔离.
- 系统地改变了植入深度和能量,以创建不同的深度配置文件.
主要成果:
- 植入有效地取代了电气隔离的梅萨蚀刻,植入深度与平均能量相关.
- 植入深度的增加导致了更高的光输出功率和峰值外部量子效率,从5.33%提高到9.82%.
- 更深入的植入也导致效率下降的轻微增加 (从46.3%降至48.6%) 和n-GaN层的潜在损伤,增加了系列电阻.
结论:
- 多能离子植入是蓝色微型LED制造中电气隔离的可行方法,提供更高的效率.
- 需要仔细控制植入深度和能量,以平衡效率的增长与潜在的缺点,如增加串联电阻和垂落.
- 进一步的研究可以集中在减轻n-GaN损害和减少效率下降,以获得更好的微型LED性能.


