关于4H-SiC上CVD对4H-SiC的表角形B₄C生长的起源

科学领域:

• 材料科学 材料科学 材料科学
• 薄膜增长 薄膜的增长
• 表面科学是一门学科.

背景情况:

• 碳化 (r-B₄C) 是光电子和热电应用的一个有前途的材料.
• 了解表轴生长机制对于优化设备性能至关重要.

研究的目的:

• 研究在不同4H-SiC表面 (C面和Si面) 上生长的r-B₄C膜的膜-基板接口.
• 在化学蒸气沉积 (CVD) 过程中确定C面上排他性表生长的起源.

主要方法:

• 高分辨率 (扫描) 传输电子显微镜 (HR (S) TEM) 用于接口分析.
• 电子能量损失光谱 (EELS) 用于元素和化学状态分析.
• 拉曼光谱用于表面表征和生长分析.

主要成果:

• 在4H-SiC基板上没有观察到显著的表面粗或基于碳的中间层.
• 在4H-SiC (0001̄) (C-面) 上,只观察到r-B₄C的外生长.
• 拉曼光谱表明,表面的碳积累阻碍了连续的表轴r-B₄C生长.

结论:

• 在4H-SiC表面积累的碳被确定为阻碍通过心血管疾病继续表性r-B₄C生长的主要因素.
• 这些发现为控制碳化薄膜在SiC基板上的表轴生长提供了洞察力.