概括
高功率808nm分布式反 (DFB) 激光二极管阵列实现134W的输出功率. 这些激光器在广泛的温度范围内保持稳定的波长,使它们成为固态激光送的理想选择.
科学领域:
- 光学和光子学 在光学和光子学.
- 半导体设备 半导体设备
背景情况:
- 高功率半导体激光器作为固态激光器的源至关重要.
- 稳定波长对于高效的激光操作至关重要.
研究的目的:
- 开发和描述高功率808nm分布式反 (DFB) 激光二极管阵列.
- 为了实现广泛的温度锁定范围,以实现稳定的波长发射.
主要方法:
- 使用纳米印记光刻技术制造一级正弦状网格.
- 使用感应合等离子体 (ICP) 干蚀刻和湿抛光.
- 在脉冲电流操作下,激光二极管阵列的实验性表征.
主要成果:
- 在150A脉冲电流下达到134W的最大输出功率,散热温度为25°C.
- 测量了1.1W/A的斜率效率.
- 在广泛的温度范围 (-30~90°C) 上,经过低温度漂移系数 (0.0595 nm/K) 的稳定的狭窄光谱宽度操作.
结论:
- 开发的808nm DFB激光二极管阵列提供高功率和出色的波长稳定性.
- 这些阵列适用于固态激光应用的先进源.
- 制造过程和展示的性能突出显示了高功率半导体激光技术的重大进步.
