在外科手术期间发烧和LVAD:SIRS或右心室应变受损?
Stefanie Marek-Iannucci1, Riley Wildemann2, Yevgeniy Brailovsky1
1Advanced Heart Failure and Transplant Cardiology, Thomas Jefferson University, Philadelphia, Pennsylvania, USA.
Artificial organs
|June 18, 2024
概括
接受左心室辅助装置 (LVAD) 的患者更容易患上术后发烧,特别是那些右心室功能障碍患者. 这表明LVAD手术后与右心脏问题相关的潜在炎症反应.
科学领域:
- 心脏病学 心脏病学
- 心脏外科手术 心脏外科手术
- 关键护理医学 关键护理医学
背景情况:
- 炎症状态后的左心室辅助装置 (LVAD) 植入与多器官功能障碍有关.
- 手术前的炎症预示着LVAD接受者的右心室衰竭.
研究的目的:
- 为了调查LVAD患者植入后发烧的发病率.
- 为了比较LVAD患者和非LVAD开放心脏手术患者的发烧情况.
- 为了确定与LVAD植入后发烧发展相关的因素.
主要方法:
- 对30名LVAD患者和30名非LVAD心脏外科手术患者的回顾性分析.
- 在两年内收集的数据.
- 发烧发展和相关临床因素的比较.
主要成果:
- 与其他开放心脏手术患者相比,LVAD患者患术后发烧的可能性更高.
- 发烧的发展独立于药物,年龄或种族.
- 女性性别和肥胖与发烧发病率的增加有关.
结论:
- 中心静脉压升高 (CVP),表明右心室功能障碍,与发烧的相关性最强.
- 这些发现引发了关于由LVAD后右心室功能障碍驱动的潜在全身炎症反应的问题.


