喷射序列工程在超格式类Sb丰富基相变材料中的效果
Anding Li1, Ruirui Liu1, Liu Liu1
1School of Materials Science and Engineering, Shanghai Institute of Technology, Shanghai 201418, China.
Materials (Basel, Switzerland)
|June 19, 2024
概括
超晶格状的薄膜显示了数据保留的热稳定性. 喷射序列显著影响热性质,由于Sb扩散,GeTe/Ge8Sb92提供了卓越的性能.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 薄膜技术 薄膜技术
- 纳米技术 纳米技术
背景情况:
- 变相材料 (PCM) 对于数据存储应用至关重要.
- 超晶格状结构 (SLL) 提供了增强材料性能的潜力.
- 优化热稳定性是PCM中可靠数据保留的关键.
研究的目的:
- 为了研究SLL薄膜的热稳定性,使用不同的喷雾序列.
- 为了比较SLL[Ge8Sb92/GeTe]和SLL[GeTe/Ge8Sb92]配置的数据保留能力.
- 阐明喷射序列,原子扩散和热性能之间的关系.
主要方法:
- 使用喷技术制造SLL薄膜.
- 喷射序列的系统变化:SLL[Ge8Sb92[25nm]/GeTe[25nm]和SLL[GeTe[25nm]/Ge8Sb92[25nm]]. 这两种射序列的系统变化包括:SLL[Ge8Sb92[25nm]/GeTe[25nm]和SLL[GeTe[25nm]/Ge8Sb92[25nm].
- 在高温下 (124.3°C和151.9°C) 测量十年数据保留 (T).
主要成果:
- 与Ge2Sb2Te5 (85°C) 相比,这两种SLL配置都显著提高了十年的数据保留能力.
- SLL [GeTe[25nm) /Ge8Sb92[25nm) ]表现出比SLL [Ge8Sb92[25nm) /GeTe[25nm] (124.3°C) 更优越的热稳定性 (151.9°C) 的结果.
- 在SLL[GeTe/Ge8Sb92]中的优越稳定性归因于Sb扩散,减少了Sb沉的影响.
结论:
- 喷序列极大地影响SLL相变材料的热稳定性和原子行为.
- SLL [GeTe/Ge8Sb92] 配置为开发具有增强热性能的先进相变材料提供了一个有前途的途径.
- 了解原子扩散机制对于设计下一代数据存储材料至关重要.
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