一个分散体积发射器微像素架构,用于从DUV LED中超高效地提取光
Faris Azim Ahmad Fajri1,2, Anjan Mukherjee3, Suraj Naskar3
1ams OSRAM Group, Leibnizstraße 2, Regensburg, Germany. faris-azim.ahmad-fajri@ams-osram.com.
Scientific reports
|June 19, 2024
概括
这项研究介绍了深紫外线发光二极管 (DUV LED) 的新型架构,可以提高光提取效率. 该设计利用分散的微像素来重定向斜光,提高了不需要复杂的外部光学来实现性能.
科学领域:
- 光电学是指光电子产品.
- 半导体设备 半导体设备
- 光子学是指光子学的使用方法.
背景情况:
- 深紫外发光二极管 (DUV LED) 面临着由于来自多个量子井 (MQW) 的斜射出角度而引起的寄生体吸收和光损失的挑战.
- 传统的DUV LED设计往往需要高指数基板或表面纹理,以有效地提取光线,增加复杂性和成本.
研究的目的:
- 提出和评估一种新的DUV LED架构,通过利用斜排放角度来提高光提取效率.
- 为了展示一个DUV LED设计,实现高效率,而不依赖于高指数基板,透镜或纳米纹理的表轴层.
主要方法:
- 使用间隔或分散的体积发射微像素嵌入低指数介电缓冲膜,上面表面有图案.
- 采用混合波和射线光学模拟来模拟光线提取效率.
- 与传统平面LED设计和纳米纹理DUV LED相比,比较了拟议的架构.
主要成果:
- 与采用蓝宝石基板的传统平面DUVLED相比,光提取效率提高了三到六倍.
- 证明了提取效率是最近纳米纹理DUV LED设计的三倍.
- 拟议的架构不需要高指数的基板,透镜或纳米纹理的层.
结论:
- 新型微像素架构有效利用斜光发射,显著提高了DUV LED中的光提取效率.
- 这种方法为 DUV LED 提供了一条道路,其插头效率与灯相比,其形状因子要小得多.
- 该设计消除了复杂的外结构的需要,可能简化了DUV LED制造和降低成本.
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