增长过程对抑制4H-SiC同质皮质层表面形态缺陷的影响
Yicheng Pei1,2, Weilong Yuan1,2, Yunkai Li1,3
1Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China.
Micromachines
|June 27, 2024
概括
优化4H-SiC表轴增长需要精确控制碳-比,以尽量减少缺陷. 特定的缓冲层增长和受控的蚀进一步提高了表轴晶圆表面质量.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 半导体物理 半导体物理
- 晶体的成长 晶体的成长
背景情况:
- 表面形态缺陷显著降低4H-SiC表轴晶圆质量.
- 控制缺陷对于先进的半导体应用至关重要.
研究的目的:
- 调查影响4H-SiC表轴晶圆缺陷密度的关键因素.
- 确定最佳的工艺参数,以提高晶圆表面质量.
主要方法:
- 对工艺参数进行系统的实验验证.
- 数据分析以将参数与缺陷密度和表面形态相关联.
- 研究了碳-比,生长时间,缓冲层应用和蚀.
主要成果:
- 碳比为0.72可以最大限度地降低缺陷密度,并优化表面平坦度.
- 在特定条件下的缓冲层生长有效地减少了表面形态缺陷.
- 控制的蚀提高了表面质量,而过度的蚀刻暴露了基板缺陷.
结论:
- 精确控制碳-比对于高质量的4H-SiC表轴晶片至关重要.
- 缓冲层应用和优化的蚀提供了有效的缺陷减少策略.
- 这些发现为在实际应用中提高表轴晶片质量提供了重要的指导.
