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Updated: Jun 22, 2025

10:17
20 mJ, 1 ps Yb:YAG Thin-disk Regenerative Amplifier
Published on: July 12, 2017
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在Er/O/B编Si发光二极管的分析冲击刺激理论
Xiaoming Wang1, Jiajing He1,2, Ao Wang3
1State Key Laboratory of Advanced Optical Communication Systems and Networks, University of Michigan-Shanghai Jiao Tong University Joint Institute, <a href="https://ror.org/0220qvk04">Shanghai Jiao Tong University</a>, Shanghai 200240, China.
Physical review letters
|July 1, 2024
概括
这项研究揭示了一种使用 (Er) 剂制造高效发光二极管的新方法. 开发的理论解释了撞击刺激如何增加光辐射,为先进的光学设备铺平了道路.
科学领域:
- 半导体物理 半导体物理
- 材料科学是一种材料科学.
- 光子学 是一个光子学.
背景情况:
- 光子学和光学量子计算需要高效的光源.
- 用添加的发光二极管 (LED) 通过冲击激发显示出更高的效率,但基本的物理原理尚不清楚.
研究的目的:
- 为了研究与相合的LED中冲击激发的物理.
- 开发一个理论模型来预测电解发光强度和量子效率.
- 为了优化Er/O/B配合LED的制造,以提高光发射.
主要方法:
- 制造一个Er/O/B配角发光二极管.
- 在反向偏差下对电光发光的实验性表征.
- 开发和应用一个分析性的冲击刺激理论.
- 将理论预测与实验数据相匹配.
主要成果:
- 通过电子冲击激发,在Er/O/B配合LED中实现了强烈的电解发光.
- 开发了一种分析理论,可以准确预测电解发光强度和内部量子效率.
- 确定了1.8×10^19 cm^-3.的记录可激发的埃尔离子度.
- 发现高达45%的离子可以通过冲击激发来激发.
结论:
- 开发的理论为理解和预测Er-dopedSi LED中的冲击激发提供了一个强大的框架.
- 高度的可激发的离子和高效的激发状态对开发高效的经典和量子光源有重大影响.
- 这项研究推动了用于未来光子应用的稀土合半导体设备的开发.

