面具结构优化,用于超越EUV光刻

科学领域:

• 半导体制造业 半导体制造业
• 先进的 lithography 技术可以使用.
• 光学物理学的光学物理.

背景情况:

• 超出极紫外线 (BEUV) 的光刻是一种有前途的未来技术,用于集成电路 (IC) 制造,使持续的模式缩小.
• 目前的面具结构需要优化,以最大限度地提高BEUV光刻系统的成像质量.
• 准确的模拟面罩衍射近场 (DNF) 对于预测 lithography 性能至关重要.

研究的目的:

• 提出和验证面具结构的优化方法,以提高BEUV光刻画中的成像质量.
• 提高面具多层的反射系数,以更好地操纵光线.
• 开发面罩吸收结构的反向设计方法,以实现卓越的光刻效果.

主要方法:

• 优化面具多层结构以最大限度地提高反射系数.
• 使用波恩序列算法建立一个面罩衍射近场 (DNF) 模型.
• 面具吸收器结构的反向设计采用粒子群优化 (PSO) 算法.

主要成果:

• 通过提出的优化方法,BEUV光刻成像质量得到了显著的改进.
• 优化的面具结构在模拟中表现出增强的性能.
• 开发的工作流程被证明是有效的,用于改进图像在先进的石版画.

结论:

• 拟议的面具结构优化方法显著提高了BEUV光刻画中的成像质量.
• 该工作流适用于EUV (极紫外线) 和软X射线成像应用.
• 这项研究有助于推进下一代半导体制造技术的发展.