概括
这项研究展示了一种用于光通信的新型53Gbps可调节发射器. 它使用集成的InGaAlAs/InP量子井实现了宽波长调和高速性能.
科学领域:
- 光电学是指光电子产品.
- 半导体设备 半导体设备
- 光学通信是指光学通信.
背景情况:
- 光通信系统的进步需要高速,可调节的发射器.
- 激光和调制器组件的集成对于紧和高效的设计至关重要.
研究的目的:
- 为了首次实验展示一个53Gbps的可广泛调节的发射器.
- 为了研究集成的V合腔激光 (VCL) 和电吸收调制器 (EAM) 设备的性能.
主要方法:
- 使用了InGaAlAs/InP多量子井 (MQW) 晶圆,其层结构与VCL和EAM相同.
- 采用VCL的浅蚀刻波导来最大限度地减少损失,并为EAM使用深蚀刻波导来增强调制带宽.
- 实验调整了42个频道 (100GHz间隔) 的发射器波长,温度从19.5°C到30°C变化.
主要成果:
- 达到了32.6nm (1538.94至1571.54nm) 的波长调范围.
- 在所有频道中显示的静态灭绝比 (ER) > 14dB.
- 测量了3dB电光 (E0) 带宽>40 GHz.
- 在53 Gbps的非回归到零 (NRZ) 信号下确认了清晰的开眼图,动态ER>4.5dB.
结论:
- 展示的可调节发射器满足了高速光学网络的需求.
- 集成的VCL-EAM设计为未来的光通信收发器提供了一个有前途的解决方案.
