无形氧化物基交叉压抑太阳盲成像阵列由一步方法准备

科学领域:

• 材料科学 材料科学 材料科学
• 光电学是指光电子产品.
• 半导体设备 半导体设备

背景情况:

• 太阳盲紫外线 (UV) 检测提供了由于大气光传输限制的低噪音成像机会.
• 太阳盲图像传感器对物体大小,形状和位置确定越来越感兴趣.
• 开发有效的太阳盲紫外线成像阵列是具有挑战性的,因为跨条架构中复杂的交叉声阻碍.

研究的目的:

• 开发一种简单且具有成本效益的方法,用于制造适用的太阳盲紫外线成像阵列.
• 为了在基于氧化的成像阵列中证明有效的交叉干扰抑制.
• 促进基于氧化的太阳盲紫外线探测器的实际应用.

主要方法:

• 制造基于无形氧化物 (a-Ga2O3) 的二极管,其整流器比率高 (10^6).
• 一步沉积方法,在成像阵列中同时创建检测和交叉声阻碍元件.
• 构建和测试2x2横杆阵列以验证交叉干扰的抑制.

主要成果:

• 在a-Ga2O3二极管中实现了10^6的高整流器比率.
• 通过简化的一步沉积过程成功准备了一个太阳盲成像阵列.
• 在2x2交叉杆阵列内证明有效的交叉声阻碍.

结论:

• 已经提出了一种简单,具有成本效益的方法,用于准备可用的太阳盲成像阵列,具有交叉干扰抑制.
• 开发的基于a-Ga2O3的成像阵列显示了实际太阳盲紫外线检测的希望.
• 这项工作促进了基于Ga2O3的太阳盲紫外线探测器技术的进步.