Si/SiO_{2}

Megan Cowie1, Taylor J Z Stock2,3, Procopios C Constantinou2

  • 1Department of Physics, <a href="https://ror.org/01pxwe438">McGill University</a>, Montréal, Québec, Canada.

PubMed
概括

/二氧化 (Si/SiO2) 中的接口陷显著影响电子性能. 我们的研究揭示了纳米级的电荷组织时间尺度和介电损失异质性,这对于先进的纳米电子学至关重要.