功能性化物用于半导体设备的氨热晶体生长:现状和潜在潜力
Thomas Wostatek1, V Y M Rajesh Chirala1, Nathan Stoddard2
1Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg, Chair of Electron Devices (LEB), Cauerstraße 6, 91058 Erlangen, Germany.
Materials (Basel, Switzerland)
|July 13, 2024
概括
氨热方法可以合成新的二元化物和三元化物. 自动技术和现场监测的进步为化物材料的快速勘探提供了前所未有的洞察力.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 晶体的成长 晶体的成长
- 固态化学 固态化学
背景情况:
- 氨热法是合成化物材料的关键技术.
- 研究主要集中在化 (GaN),但新化物正在出现.
- 了解反应性,溶解性和缺陷化学等基本方面至关重要.
研究的目的:
- 审查超越GaN的化物合成的最先进的氨热方法.
- 讨论新型化物及其单晶生长的潜力.
- 突出了最近在自技术和现场表征方面的进步.
主要方法:
- 审查基本的自闭技术和元素的反应性/溶解性.
- 各种化物 (GaN,AlN,AlGaN,BN,InN,三元化物) 的单晶合成概述.
- 研究合成化物中的点缺陷 (杂质,原生缺陷).
- 审查最近在现场自技术的发展 (温度,光学,X射线成像,CT,衍射).
主要成果:
- 氨热法适用于广泛的二进制和三进制化物.
- 基于GaN的材料中的点缺陷可以减轻可控制性质.
- 先进的现场技术为氨热过程提供了前所未有的洞察力.
结论:
- 氨热法是一种用于探索新化物材料的多功能技术.
- 在现场监测显著加快了化物合成的发现和优化.
- 化物材料技术的进一步发展对于推进化物材料科学至关重要.
