含有Si的反梯度块共聚物用于EUV石版画中的无机图案放大.
Yemin Park1, Seung Won Song1, Jeehyun Hong1
1Department of Materials Science and Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), 291 Daehak-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34141, Republic of Korea.
ACS macro letters
|July 15, 2024
概括
使用一种新的反梯度区块共聚物 (BCP) 系统的定向自组装 (DSA) 增强了极紫外线光刻 (EUVL) 图案高度. 这种先进的BCP系统在没有中立层的情况下实现了高比例图案,克服了关键的EUVL挑战.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术纳米技术
- 化学工程是化学工程的重要组成部分.
背景情况:
- 极端紫外线光刻 (EUVL) 对于10nm以下的图案设计至关重要,但由于光电阻图案高度不足而面临挑战.
- 块共聚合物 (BCP) 的定向自组装 (DSA) 为补充EUVL的纳米结构形成提供了潜力.
- 对于EUVL,需要先进的BCP系统,需要与无机电阻相兼容,以及提高分辨率,图案质量和蚀刻阻力.
研究的目的:
- 开发一种先进的块共聚合物 (BCP) 系统,以提高极端紫外线光刻 (EUVL) 中的图案高度.
- 创建一个适合含有无机EUV光电阻的BCP系统,具有更好的分辨率,图案质量和蚀刻阻力.
- 为了使普遍垂直导向的斑块形成,而无需EUVL图案增强的中性层.
主要方法:
- 开发一个反向梯度的BCP系统:聚[(烯-梯度-五) -b-4-tert-butyldimetilsiloxystyrene] [P(S-g-PFS) -b-P4BDSS].
- 利用梯度块的组成过渡来创建表面能量对比.
- 在EUVL过程中使用BCP作为图案高度增强层.
主要成果:
- 通过P(S-g-PFS) -b-P4BDSS BCP系统,可以在没有中性层的情况下实现通用垂直导向的片.
- 含Si的块提供了高蚀刻阻力.
- 在EUVL.中使用BCP作为图案高度增强层时,达到3.29的高比例.
结论:
- 开发的反梯度BCP系统通过显著提高图案高度,为下一代EUVL提供了一个补充解决方案.
- BCP在没有中性层的情况下形成垂直的板状膜的能力及其固有的蚀刻阻力是其关键优势.
- 这种方法解决了EUVL的关键挑战,为更高质量的纳米结构铺平了道路.
