高反射性Ni/Pt/Al p电极用于提高基于AlGaN的深紫外线发光二极管的效率
Optics letters
|July 15, 2024
概括
一个新的Ni/Pt/Al p电极通过防止扩散来增强深紫外线 (DUV) 发光二极管 (LED). 这提高了DUV LED应用的壁插件效率 (WPE) 和设备稳定性.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 光电学是指光电子产品.
- 半导体设备 半导体设备
背景情况:
- 基于AlGaN的深紫外线 (DUV) 发光二极管 (LED) 与传统的 (Al) 基电极面临挑战.
- 在回火过程中Al扩散会导致设备退化和壁插头效率 (WPE) 在DUVLED中下降.
- 现有的反射p电极解决方案往往涉及复杂的制造工艺.
研究的目的:
- 为基于AlGaN的DUVLED开发一种高度反射和稳定的p电极.
- 为了减轻与Al扩散相关的设备降解和WPE垂落.
- 为反射型p型电极提供简化制造工艺.
主要方法:
- 一个新的Ni/Pt/Alp电极结构的制造.
- 在 (Ni) 和 (Al) 层之间插入一个 (Pt) 层.
- 电极反射性和阻断原子扩散 (氧和) 的表征.
主要成果:
- Ni/Pt/Al p电极保持了高反射率 (>80%在280 nm附近).
- Pt层有效地阻止了O和Al原子的扩散.
- 与Ni/Au和Ni/Al电极相比,观察到WPE显著改善,分别为10.3%和30.5%.
结论:
- Ni/Pt/Al p电极是基于AlGaN的DUVLED的优质替代品.
- 这种电极结构通过防止Al扩散来增强设备稳定性和WPE.
- 拟议的方法为反射p型电极提供了一个更简单的,单步蒸发和回火过程.
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