Namyoung Gwak1, Seungki Shin1, Hyeri Yoo2,3

  • 1Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, 222, Wangsimni-ro, Seongdong-gu, Seoul, 04763, Republic of Korea.

概括

这项研究引入了一种使用特定金属连接体的新方法,可以显著提高酸 (InP) 量子点 (QD) 的光辐射,而不需要外. 这一突破提高了InP QD对光电子和其他应用的性能.