从ZnO表面的暂时控制的排放
1Indian Institute of Technology Bhilai, Kutelabhata, Bhilai, Chhattisgarh 491002, India.
Nanotechnology
|July 19, 2024
概括
研究人员使用光子激发控制了氧化 (ZnO) 中的光学辐射. 402nm的第二个光源将光发光 (PL) 减少了50%,为ZnO材料的缺陷提供了控制.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 固态物理 固态物理
- 光电学是指光电子产品.
背景情况:
- 氧化 (ZnO) 由于缺陷而表现出显著的光发光 (PL).
- 在ZnO的带间隙激发下显示了与缺陷相关的排放频段.
研究的目的:
- 为了研究ZnO中光子控制的光学辐射.
- 通过使用双激发源来探索ZnO中的缺陷控制机制.
主要方法:
- 使用532nm光来诱导光发光的ZnO (101 ̄0) 的激发 (PL).
- 在402nm应用第二个激发源来调节PL.
- 对PL光谱和拉曼反应的分析.
主要成果:
- 在532nm激发下观察到显著的PL与拉曼反应重叠.
- 确定了三个PL波段 (629,690,751 nm),归因于过多的和氧空缺.
- 通过使用402nm激发,证明了整体PL的50%减少.
结论:
- 在ZnO中,双正氧空位状态可用于控制PL排放.
- 暂时减少氧气空隙密度有效调节ZnO中的光学辐射.
