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Updated: Jun 20, 2025
08:45
Fabrication of Spatially Confined Complex Oxides
Published on: July 1, 2013
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用于极端紫外线光成像的层次排序的有机氧集群
Sihyun Woo1,2, Ji Hye Baek2, Chawon Koh3,4
1Division of Chemical Engineering and Materials Science and Graduate Program in System Health Science and Engineering, Ewha Womans University, Seoul 03760, Republic of Korea.
ACS applied materials & interfaces
|July 22, 2024
概括
基于有机氧集群的新型光电阻材料为极紫外线 (EUV) 光刻提供了高灵敏度和稳定性. 这些材料可以为先进的半导体制造提供精细的图案.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术 纳米技术
- 半导体制造业 半导体制造业
背景情况:
- 极紫外线 (EUV) 光刻法对于创建纳米级半导体图案至关重要.
- 开发具有高灵敏度和保质期的先进光电阻 (PR) 材料对于EUV光刻技术至关重要.
- 目前的EUV PR材料库是有限的.
研究的目的:
- 开发用于EUV光刻的新型光电阻材料.
- 调查这些新材料的特性和图案设计能力.
主要方法:
- 合成的阶梯结构四核斯坦素作为EUV PR材料.
- 利用单晶X射线结构分析来确定结构性质.
- 在标准半导体加工溶剂中评估了溶解性,可湿性,薄膜形成能力和保质期.
- 使用EUV和电子束光刻法进行负色调图案.
- 评估与紫外线光电法相容性.
主要成果:
- 开发了基于预先组织的阶梯结构四核斯坦克桑层的EUV PRs.
- 由于丁链的互数字化,实现了8.5 Å的密切层间距离.
- PR材料表现出高溶解度,优秀的湿透性和Si晶片上均的薄膜形成.
- 展现了长达1个月的保质期,耐水解分解.
- 启用了15nm (EUV) 和20nm (e-beam) 临界尺寸的负色调模式.
- 由于染色体连接体,显示了与紫外线光刻法的兼容性.
结论:
- 层次排序的有机氧集群显示出作为先进的EUV光电阻材料的巨大潜力.
- 这些材料解决了下一代半导体制造灵敏度,稳定性和可加工性的关键局限性.
