MOS Capacitor
Chemical Synapses
Ligand-Gated Ion Channel Receptor: Gating Mechanism
Long-term Potentiation
您也可能阅读
通过共同作者、期刊和引用图与本文相关的文章。
Jae Gwang Lim1,2, Sung-Jae Park1,3, Sang Min Lee1,3
1Center for Semiconductor Technology, Korea Institute of Science and Technology, Seoul, 02792, South Korea.
这项研究介绍了一种新的CMOS-memristor混合突触电路,能够模拟用于节能神经形态计算的多种尖峰时间依赖可塑性 (STDP) 规则. 该电路成功展示了关联式学习,为可扩展的大脑启发的AI铺平了道路.
科学领域:
背景情况:
研究的目的:
主要方法:
主要成果:
结论: