在高场MRI扫描仪中模拟多通道TMS线圈阵列上的应力和力

Maria A Koponen1, Juuso T Korhonen1, José A Vilchez Membrilla2

  • 1Department of Neuroscience and Biomedical Engineering, Aalto University School of Science, Espoo, Finland.

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概括

研究人员研究了MRI扫描仪内跨磁刺激 (TMS) 线圈的机械耐用性. 他们发现,特定的材料选择和设计修改可以显著提高TMS-MRI系统的安全性和稳定性.