MOS Capacitor
Brain Imaging
Long-term Potentiation
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Rabiul Islam1,2, Yu Shi1,2, Gabriel Vinicius de Oliveira Silva1,2
1Department of Electrical and Computer Engineering, University of Waterloo, Waterloo N2L 3G1, Ontario, Canada.
这项研究介绍了一种新的注入二氧化离子电子装置,它模仿了用于神经形态计算的突触短期可塑性. 该设备提供可调节的内存和语音识别任务的高精度.
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