Andrew Y Joe1,2, Andrés M Mier Valdivia3, Luis A Jauregui4

  • 1Department of Physics, Harvard University, Cambridge, MA, USA.

Nature communications
|August 7, 2024
PubMed
概括

研究人员在2D半导体异构结构中演示了层间激子 (IE) 电离. 使用静电门实现了高IE密度,揭示了电离过渡,并为刺激凝聚物铺平了道路.