离心式惯性诱导AgNW网络的方向对齐,用于制备具有朱尔加热能力的透明电磁干扰屏蔽膜
Weijun Zhao1, Jingwen Dong1, Zhaoyang Li1
1State Key Laboratory of Structural Analysis, Optimization and CAE Software for Industrial Equipment, National Engineering Research Center for Advanced Polymer Processing Technology, Zhengzhou University, Zhengzhou, 450002, China.
Advanced science (Weinheim, Baden-Wurttemberg, Germany)
|August 8, 2024
概括
这项研究开发了一种新的对齐银纳米线 (AgNW) 网络,用于透明的电磁干扰 (EMI) 屏蔽. 该技术实现了高屏蔽效率和光学传输率,非常适合先进的光电子设备.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术 纳米技术
- 电磁学 电磁学 电磁学 电磁学
背景情况:
- 透明的电磁干扰 (EMI) 屏蔽对于光电子设备至关重要.
- 平衡EMI屏蔽效率 (SE) 和光学传输率仍然是一个重大挑战.
- 随机银纳米线 (AgNW) 网络经常受到高接触电阻和有限导电性的困扰.
研究的目的:
- 制定构建方向对齐的AgNW网络的战略,以实现透明的EMI屏蔽.
- 为了同时提高EMI屏蔽效率和光学传输率.
- 探索对齐的AgNW薄膜在脱雾和脱冰应用中的潜力.
主要方法:
- 利用旋转喷雾技术创建方向对齐的AgNW网络.
- 从高速旋转滚筒中利用离心惰力来定位AgNWs.
- 基于对齐的AgNW战略制造的透明导电薄膜.
主要成果:
- 达到72.9%的光传导率,低板电阻为4.5 Ω平方-1.1.
- 已证明的理想EMI SE值为35.2dB (X频段) 和38.9dB (K频段),在20.4GHz时达到43.4dB的峰值.
- 对齐的AgNW薄膜表现出卓越的焦勒加热性能,用于除雾和除冰.
结论:
- AgNWs的方向对齐有效地克服了随机网络中的接触阻力问题.
- 拟议的方法为高性能透明EMI屏蔽膜提供了一个有希望的解决方案.
- 对齐的AgNW网络为增强光电子设备的功能提供了一个可行的途径.
