使用iR补偿和其电子运输特性控制的纳米线的电沉积

Stepan V Sotnichuk1, Olga V Skryabina1, Andrey G Shishkin1

  • 1National University of Science and Technology MISIS, Moscow 119049, Russia.

Nanotechnology
|August 9, 2024
PubMed
概括

研究人员开发了一种新方法,用于制造用于超导混合装置的纳米线. 这种技术可以控制纳米线的生长,这对于理解它们独特的电子特性至关重要.