激光消光三连接太阳能电池的损伤特征分析基于电光发光特征
Wei Guo1, Jifei Ye1, Hao Chang1
1State Key Laboratory of Laser Propulsion & Application, Department of Aerospace and Technology, Space Engineering University, Beijing 101416, China.
Sensors (Basel, Switzerland)
|August 10, 2024
概括
激光照射会损坏的印度/的化/的化/ (GaInP/GaAs/Ge) 太阳能电池,主要影响GaInP层. 这导致电压,电性能和光电转换能力降低,特别是在更高的激光能量下.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 可再生能源技术可再生能源技术
- 半导体物理 半导体物理
背景情况:
- 三联太阳能电池,特别是GaInP/GaAs/Ge,对于高效太阳能转换至关重要.
- 了解像激光照射这样的外部因素的影响对于设备的可靠性和寿命至关重要.
研究的目的:
- 研究脉冲激光辐射对GaInP/GaAs/Ge太阳能电池及其个别子细胞层的物理影响.
- 为了量化由于激光暴露而导致的性能和电光发光特征的降解.
主要方法:
- 用532nm脉冲激光在不同能量水平上对GaInP/GaAs/Ge太阳能电池进行辐射.
- 使用源电表测量工作性能.
- 用普通和红外相机评估电发光 (EL) 特性.
主要成果:
- 532nm激光主要与GaInP层相互作用,导致初始损坏和显著的电压减弱.
- 激光照射导致电气和光辐射性能降低,随着激光能量增加,损伤加剧.
- EL成像显示了各个子细胞的不同损伤状态,红色和近红外光辐射的显着降解.
结论:
- 在GaInP/GaAs/Ge太阳能电池中,GaInP层最容易受到532nm激光辐射的损伤.
- 激光照射逐渐降低了这些三联太阳能电池的光电转换能力和电光发光.
- 亚细胞损伤不均,凸显了针对性保护策略的必要性.
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