通过结合第三心室解剖学来优化中心核的间接准,以进行深度大脑刺激
Hargunbir Singh1,2, Michaela Stamm1, Aaron E L Warren1,2
11Department of Neurosurgery, Brigham and Women's Hospital, Boston, Massachusetts.
Journal of neurosurgery
|August 10, 2024
概括
对于中心中核 (CM) 的深脑刺激 (DBS) 的标准间接准是不准确的. 一种精细的间接方法显著提高了CM-DBS电极放置的准确性,潜在地提高了可访问性和减少副作用.
科学领域:
- 神经外科 神经外科
- 神经学 神经学
- 医疗成像医学成像
背景情况:
- 深度大脑刺激 (DBS) 针对各种神经系统疾病的中心中核 (CM).
- 在常规MRI上直接可视化CM具有挑战性,需要间接准方法.
- 目前的间接准依赖于立体坐标,这些坐标可能缺乏精度.
研究的目的:
- 为了评估CM-DBS电极放置标准间接坐标的准确性.
- 确定并提出替代间接坐标,以改善CM目标.
- 评估CM-DBS的临床实用性和对其可访问性和副作用的潜在影响.
主要方法:
- 对CM的间接准被模拟在健康成年人的100张MRI图像上.
- 开发了一种可能电极位置 (PEL) 面具,以估计DBS接触位置.
- 通过测量PEL和基于图谱的CM口罩之间的距离来量化错误.
- 验证是在从一般性患者获得的20张MRI图像上进行的.
主要成果:
- 标准间接坐标导致平均欧几里德误差为4.40毫米,只有52%的PEL与CM重叠.
- 第三心室宽度变化是目标错误的主要来源.
- 另一种间接坐标系统 (4.5毫米侧到第三心室的后侧角) 将平均欧几里德误差降低到1.24毫米,达到84%的PEL与CM重叠.
结论:
- 标准的CM-DBS间接准方法是不理想的,通常将电极放置在目标核外.
- 拟议的精细的间接准方法显著提高了准确性.
- 提高准确度可以提高CM-DBS的可用性和安全性,特别是在资源有限的环境中.
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