MOS Capacitor
Resting Membrane Potential
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1Division of Electronics and Electrical Engineering, Dongguk University, Seoul 04620, Republic of Korea.
带有 Pt/SnOx/TiN 记忆元的神经形态系统通过模仿大脑突触来提供节能计算. 这些设备使可适应的神经电路用于先进的智能计算和边缘应用.
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