Mnemonic Devices
MOS Capacitor
Bipolar Junction Transistor
Field Effect Transistor
System of Memory
Chunking
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通过共同作者、期刊和引用图与本文相关的文章。
Jun Cai1,2, Peng Wu3,4, Rahul Tripathi1,2
1Elmore Family School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, Indiana 47907, United States.
研究人员使用2D材料开发了一种单晶体管Ternary内容可定位存储器 (TCAM). 这种可靠的非易失性存储器可以为人工智能应用程序提供高效的内存计算.
科学领域:
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主要成果:
结论: