六角化的化学蒸气沉积在来自博拉的上

Katherine A Su1, Songying Li1, Wei-Chen Wen2

  • 1Department of Materials Science and Engineering, University of Wisconsin-Madison Madison Wisconsin 53706 USA michael.arnold@wisc.edu.

RSC advances
|August 14, 2024
PubMed
概括

研究人员在 (Ge) 和 (Si) 基板上生长了六角化 (hBN). 抑制Ge升华和控制表面的方向是高质量的关键,对准了微电子的hBN增长.